JMSH1010AE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1010AE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JMSH1010AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1010AE даташит

 ..1. Size:1050K  jiejie micro
 jmsh1010ac jmsh1010ae.pdf pdf_icon

JMSH1010AE

JMSH1010AC JMSH1010AE 100V 9.4mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.4 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

 5.1. Size:400K  jiejie micro
 jmsh1010agq.pdf pdf_icon

JMSH1010AE

JMSH1010AGQ 100V 8.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:349K  jiejie micro
 jmsh1010akq.pdf pdf_icon

JMSH1010AE

JMSH1010AKQ 100V 9.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 79 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.3. Size:369K  jiejie micro
 jmsh1010ag.pdf pdf_icon

JMSH1010AE

JMSH1010AG 100V 8.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Automatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1006AG, JMSH1006AK, JMSH1006PC, JMSH1006PE, JMSH1006PG, JMSH1006PGS, JMSH1006PK, JMSH1010AC, SPP20N60C3, JMSH1010AG, JMSH1010AGQ, JMSH1010AK, JMSH1010AKQ, JMSH1010PC, JMSH1010PG, JMSH1010PK, JMSH1010PU