JMSL0402BG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0402BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1538 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0402BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0402BG даташит

 ..1. Size:320K  jiejie micro
jmsl0402bg.pdfpdf_icon

JMSL0402BG

 0.1. Size:370K  jiejie micro
jmsl0402bgq.pdfpdf_icon

JMSL0402BG

 6.1. Size:285K  jiejie micro
jmsl0402au.pdfpdf_icon

JMSL0402BG

 6.2. Size:1192K  jiejie micro
jmsl0402tg.pdfpdf_icon

JMSL0402BG

40V, 163A, 2.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0402TG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 163 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.9 mW Load Switch PWM Application Pow

Другие IGBT... JMSH0406BUQ, JMSL0401PG, JMSL0401PGQ, JMSL0402AG, JMSL0402AGQ, JMSL0402AK, JMSL0402AKQ, JMSL0402AU, 4N60, JMSL0402BGQ, JMSL0402MGQ, JMSL0402MTL, JMSL0402PG, JMSL0402PTL, JMSL0402TG, JMTR3002A, JMTT8810KS