Справочник MOSFET. JMSL0402BGQ

 

JMSL0402BGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0402BGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 158 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1538 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0402BGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0402BGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  jiejie micro
jmsl0402bgq.pdfpdf_icon

JMSL0402BGQ

 4.1. Size:320K  jiejie micro
jmsl0402bg.pdfpdf_icon

JMSL0402BGQ

 6.1. Size:285K  jiejie micro
jmsl0402au.pdfpdf_icon

JMSL0402BGQ

 6.2. Size:1192K  jiejie micro
jmsl0402tg.pdfpdf_icon

JMSL0402BGQ

40V, 163A, 2.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0402TGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 163 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.9 mW Load Switch PWM Application Pow

Другие MOSFET... JMSL0401PG , JMSL0401PGQ , JMSL0402AG , JMSL0402AGQ , JMSL0402AK , JMSL0402AKQ , JMSL0402AU , JMSL0402BG , STF13NM60N , JMSL0402MGQ , JMSL0402MTL , JMSL0402PG , JMSL0402PTL , JMSL0402TG , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.