JMSL0604AGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0604AGQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0604AGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0604AGQ даташит

 ..1. Size:329K  jiejie micro
jmsl0604agq.pdfpdf_icon

JMSL0604AGQ

JMSL0604AGQ 60V 3.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.6 m RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 4.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 4.1. Size:306K  jiejie micro
jmsl0604ag.pdfpdf_icon

JMSL0604AGQ

JMSL0604AG 60V 3.9m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 98 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 3.9 m RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Ma

 7.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0604AGQ

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 7.2. Size:319K  jiejie micro
jmsl0609ap.pdfpdf_icon

JMSL0604AGQ

JMSL0609AP 60V 7.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 13.6 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Manag

Другие IGBT... JMSL0602AGQ, JMSL0602MG, JMSL0602PG, JMSL0603AK, JMSL0603BG, JMSL0603BGQ, JMSL0603PG, JMSL0604AG, IRF530, JMTC018N03A, JMTC025N04D, JMTC035N04A, JMTC035N06D, JMTC060N06A, JMTC068N07A, JMTC085P04A, JMTC110N06A