JMTL400N04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTL400N04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для JMTL400N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTL400N04A даташит

 ..1. Size:1306K  jiejie micro
 jmtl400n04a.pdf pdf_icon

JMTL400N04A

40V, 4A, 40m N-channel Power Trench MOSFET JMTL400N04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 40 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 2.0 V ID(@VGS=10V) 4 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 30 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 40 mW PWM Application Power Management D G S S

Другие IGBT... JMTL3402A, JMTL3404A, JMTL3404B, JMTL3406A, JMTL3407A, JMTL3415KL, JMTL3416KS, JMTL3N10A, STP65NF06, JMTL850P04A, JMTLA2N7002KS, JMTLA3134K, JMTQ250C03D, JMTQ3003A, JMTQ3005A, JMTQ3005C, JMTQ3006B