Справочник MOSFET. DMN2230U

 

DMN2230U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMN2230U
   Маркировка: 22N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для DMN2230U

 

 

DMN2230U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  diodes
 dmn2230u.pdf

DMN2230U DMN2230U

DMN2230UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 110 m @ VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 145 m @ VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J

 ..2. Size:74K  tysemi
 dmn2230u.pdf

DMN2230U DMN2230U

Product specificationDMN2230UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT23 110 m @ VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 145 m @ VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 230 m @ VGS = 1.8V Terminal Connect

 9.1. Size:168K  diodes
 dmn2215udm.pdf

DMN2230U DMN2230U

DMN2215UDMDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-26 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 100m @VGS = 4.5V, ID = 2.5A Moisture Sensitivi

 9.2. Size:235K  diodes
 dmn2250ufb.pdf

DMN2230U DMN2230U

DMN2250UFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25C Low Input Capacitance 0.17 @ VGS = 4.5V 1.35A Fast Switching Speed 20V 1.15A 0.23 @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate 0.25 @ VGS = 1.8V 1.10A Totally Lead-Free & Fully RoH

Другие MOSFET... DMN2041LSD , DMN2050L , DMN2075U , DMN2100UDM , DMN2112SN , DMN2114SN , DMN2170U , DMN2215UDM , IRF740 , DMN2300U , DMN2300UFB , DMN2300UFB4 , DMN2400UFB4 , DMN2400UV , DMN26D0UDJ , DMN26D0UFB4 , DMN26D0UT .

 

 
Back to Top