JMTM330N06A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTM330N06A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTM330N06A

Маркировка: 330N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для JMTM330N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTM330N06A даташит

..1. Size:1279K jiejie micro
jmtm330n06a.pdf pdf_icon

60V, 4.8A, 35m N-channel Power Trench MOSFET JMTM330N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 60 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.6 V ID(@VGS=10V) 4.8 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 31 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 35 mW PWM Application Power Management SOT-23-

9.1. Size:331K jiejie micro
jmtm3406d.pdf pdf_icon