JMTM330N06A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTM330N06A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для JMTM330N06A
JMTM330N06A Datasheet (PDF)
jmtm330n06a.pdf
60V, 4.8A, 35m N-channel Power Trench MOSFETJMTM330N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 60 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 4.8 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 31 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 35 mW PWM Application Power ManagementSOT-23-
jmtm3406d.pdf
JMTM3406DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 3.8A Load SwitchR
jmtm300n03d.pdf
JMTM300N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 4.8A Load SwitchRDS(ON)
jmtm300c02d.pdf
JMTM300C02DDescriptionJMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications N-channel: 20V, 3.8A Battery ProtectionRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTK3005C , JMTK3005L , JMTLB2N7002KDS , JMTLB3134K , JMTM170N04A , JMTM2310A , JMTM300C02D , JMTM300N03D , 2N60 , JMTM3406D , JMTM3415KL , JMTM8205A , JMTM8205B , JMTM850P04A , JMTM8810KS , JMTN11DN10A , JMTN2310A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06 | MDT100N06 | MPG100N06 | MPG100N03P | MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D
Popular searches
irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n