JMTM3415KL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTM3415KL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для JMTM3415KL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTM3415KL даташит

 ..1. Size:391K  jiejie micro
 jmtm3415kl.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

JMTM3415KL Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -20V, I = -4.1A PWM Applications DS D R

 8.1. Size:331K  jiejie micro
 jmtm3406d.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

JMTM3406D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 3.8A Load Switch R

 9.1. Size:715K  jiejie micro
 jmtm300n03d.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

JMTM300N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 30V, 4.8A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1279K  jiejie micro
 jmtm330n06a.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

60V, 4.8A, 35m N-channel Power Trench MOSFET JMTM330N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 60 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.6 V ID(@VGS=10V) 4.8 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 31 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 35 mW PWM Application Power Management SOT-23-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTLB2N7002KDS, JMTLB3134K, JMTM170N04A, JMTM2310A, JMTM300C02D, JMTM300N03D, JMTM330N06A, JMTM3406D, IRF2807, JMTM8205A, JMTM8205B, JMTM850P04A, JMTM8810KS, JMTN11DN10A, JMTN2310A, JMTN330N06A, JMTQ11DP03A