Справочник MOSFET. JMTM3415KL

 

JMTM3415KL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTM3415KL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для JMTM3415KL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTM3415KL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  jiejie micro
 jmtm3415kl.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

JMTM3415KLDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -20V, I = -4.1A PWM ApplicationsDS DR

 8.1. Size:331K  jiejie micro
 jmtm3406d.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

JMTM3406DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 3.8A Load SwitchR

 9.1. Size:715K  jiejie micro
 jmtm300n03d.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

JMTM300N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 4.8A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:1279K  jiejie micro
 jmtm330n06a.pdf pdf_icon

JMTM3415KL

60V, 4.8A, 35m N-channel Power Trench MOSFETJMTM330N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 60 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 4.8 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 31 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 35 mW PWM Application Power ManagementSOT-23-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTLB2N7002KDS , JMTLB3134K , JMTM170N04A , JMTM2310A , JMTM300C02D , JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , IRFB31N20D , JMTM8205A , JMTM8205B , JMTM850P04A , JMTM8810KS , JMTN11DN10A , JMTN2310A , JMTN330N06A , .

 

 
Back to Top

 


 
.