JMTN2310A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTN2310A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для JMTN2310A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTN2310A даташит

 ..1. Size:1231K  jiejie micro
 jmtn2310a.pdf pdf_icon

JMTN2310A

60V, 3A, 95.6m N-channel Power Trench MOSFET JMTN2310A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 3 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 85.0 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95.6 mW Applications Load Switch P

Другие IGBT... JMTM330N06A, JMTM3406D, JMTM3415KL, JMTM8205A, JMTM8205B, JMTM850P04A, JMTM8810KS, JMTN11DN10A, 75N75, JMTN330N06A, JMTQ11DP03A, JMTQ120C03D, JMTQ120N03A, JMTQ120N03D, JMTQ120N04D, JMTQ130N04D, JMTQ130P04A