JMTN2310A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTN2310A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для JMTN2310A
JMTN2310A Datasheet (PDF)
jmtn2310a.pdf

60V, 3A, 95.6m N-channel Power Trench MOSFETJMTN2310AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 3 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 85.0 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95.6 mWApplications Load Switch P
Другие MOSFET... JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL , JMTM8205A , JMTM8205B , JMTM850P04A , JMTM8810KS , JMTN11DN10A , K2611 , JMTN330N06A , JMTQ11DP03A , JMTQ120C03D , JMTQ120N03A , JMTQ120N03D , JMTQ120N04D , JMTQ130N04D , JMTQ130P04A .
History: IPW90R120C3
History: IPW90R120C3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF | AP20H02S | AP20G06GD | AP20G04NF | AP20G04GD | AP20G03NF | AP70P03DF
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor