JMTQ120C03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ120C03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D

Аналог (замена) для JMTQ120C03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ120C03D даташит

 ..1. Size:607K  jiejie micro
 jmtq120c03d.pdf pdf_icon

JMTQ120C03D

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

 7.1. Size:1391K  jiejie micro
 jmtq120n04d.pdf pdf_icon

JMTQ120C03D

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ120N04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 29 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mW Applications Load Switch PWM

 7.2. Size:526K  jiejie micro
 jmtq120n03d.pdf pdf_icon

JMTQ120C03D

JMTQ120N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications Load Switch 30V, 15A PWM Application RDS(ON)

 7.3. Size:479K  jiejie micro
 jmtq120n03a.pdf pdf_icon

JMTQ120C03D

JMTQ120N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 18A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTM8205A, JMTM8205B, JMTM850P04A, JMTM8810KS, JMTN11DN10A, JMTN2310A, JMTN330N06A, JMTQ11DP03A, STP65NF06, JMTQ120N03A, JMTQ120N03D, JMTQ120N04D, JMTQ130N04D, JMTQ130P04A, JMTQ160P03A, JMTQ170C04D, JMTQ190N03A