JMTI210P02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTI210P02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JMTI210P02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTI210P02A даташит

 ..1. Size:395K  jiejie micro
jmti210p02a.pdfpdf_icon

JMTI210P02A

JMTI210P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -20A Load Switch R

 9.1. Size:753K  jiejie micro
jmti290n06a.pdfpdf_icon

JMTI210P02A

JMTI290N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 20A Load Switch R

Другие IGBT... JMSL0605AGD, JMSL0605AGDQ, JMSL0605PG, JMSL0606AC, JMSL0606AE, JMTI080N02A, JMTI080P03A, JMTI10N10A, IRF640N, JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, JMTI50N06B, JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A