JMTK060N06A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK060N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: TO252-4R

Аналог (замена) для JMTK060N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK060N06A даташит

 ..1. Size:319K  jiejie micro
jmtk060n06a.pdfpdf_icon

JMTK060N06A

JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 120A Load Switch R

 7.1. Size:1320K  jiejie micro
jmtk060p03a.pdfpdf_icon

JMTK060N06A

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

 8.1. Size:1276K  jiejie micro
jmtk068n07a.pdfpdf_icon

JMTK060N06A

70V, 51A, 6.1m N-channel Power Trench MOSFET JMTK068N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 70 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 51 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=8.0V 6.5 mW Applications Load Switch P

 9.1. Size:1297K  jiejie micro
jmtk035n04l.pdfpdf_icon

JMTK060N06A

Другие IGBT... JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, JMTI50N06B, JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A, P55NF06, JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A, JMTP045N03A, JMTP075N06A, JMTP080N04A, JMTP080N04D, JMTP080P03A