JMTP080P03A - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTP080P03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для JMTP080P03A
JMTP080P03A технические параметры
jmtp080p03a.pdf
JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)
jmtp080n04a.pdf
JMTP080N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 15A Load Switch RDS(ON)
jmtp080n04d.pdf
JMTP080N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 13A Load Switch RDS(ON)
jmtp085p02a.pdf
JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R
Другие MOSFET... JMTK060N06A , JMTK060P03A , JMTK068N07A , JMTK080P03A , JMTP045N03A , JMTP075N06A , JMTP080N04A , JMTP080N04D , STP75NF75 , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A .
History: JMTP110N06A | IRFZ48NPBF
History: JMTP110N06A | IRFZ48NPBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260





