JMTP080P03A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTP080P03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для JMTP080P03A
JMTP080P03A Datasheet (PDF)
jmtp080p03a.pdf

JMTP080P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -15A Load SwitchRDS(ON)
jmtp080n04a.pdf

JMTP080N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 15A Load SwitchRDS(ON)
jmtp080n04d.pdf

JMTP080N04DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 13A Load SwitchRDS(ON)
jmtp085p02a.pdf

JMTP085P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-15A PWM ApplicationsDS DR
Другие MOSFET... JMTK060N06A , JMTK060P03A , JMTK068N07A , JMTK080P03A , JMTP045N03A , JMTP075N06A , JMTP080N04A , JMTP080N04D , 12N60 , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260