JMTQ050N02A - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTQ050N02A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
Аналог (замена) для JMTQ050N02A
JMTQ050N02A технические параметры
jmtq050n02a.pdf
JMTQ050N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 50A Load Switch RDS(ON)
jmtq055n04a.pdf
JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)
jmtq040n03a.pdf
JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)
jmtq075n03d.pdf
JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)
Другие MOSFET... JMTP080N04D , JMTP080P03A , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , IRFP260 , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A , JMSL0606AGD , JMSL0606AGQ , JMSL0606AGWQ , JMSL0606AK .
History: JMSL0606AGD | JMTQ075N03D | JMSL0608PGD | JMSL0608PG
History: JMSL0606AGD | JMTQ075N03D | JMSL0608PGD | JMSL0608PG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205








