Справочник MOSFET. ZXMN2A01E6

 

ZXMN2A01E6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMN2A01E6
   Маркировка: 2A1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 303 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для ZXMN2A01E6

 

 

ZXMN2A01E6 Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .