ZXMN2A01E6 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

ZXMN2A01E6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2A01E6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 303 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для ZXMN2A01E6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

ZXMN2A01E6 даташит

..1. Size:199K diodes
zxmn2a01e6.pdf pdf_icon

ZXMN2A01E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 3.1A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SOT23-6 FEATURES Low on-resistance

0.1. Size:198K zetex
zxmn2a01e6ta.pdf pdf_icon