JMTK10N10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTK10N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMTK10N10A
JMTK10N10A Datasheet (PDF)
jmtk10n10a.pdf

JMTK10N10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 10A Load SwitchR
jmtk100n02a.pdf

JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)
jmtk100p03a.pdf

-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFETJMTK100P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -55 A ApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica
jmtk100n03a.pdf

JMTK100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 40A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMSL10130AY , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG , JMTK085P04A , JMTK100N02A , JMTK100N03A , JMTK100P03A , IRF730 , JMTK3006B , JMTK3006C , JMTK3006D , JMTK3006E , JMTK320N10A , JMTK330N06A , JMTK340P03A , JMTK4004A .
History: JMTK4005A | 3N212 | JMTK100P03A | JMSL0606AGD
History: JMTK4005A | 3N212 | JMTK100P03A | JMSL0606AGD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
Popular searches
ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35