JMTK10N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK10N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK10N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK10N10A даташит

 ..1. Size:390K  jiejie micro
 jmtk10n10a.pdf pdf_icon

JMTK10N10A

JMTK10N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 10A Load Switch R

 8.1. Size:1068K  jiejie micro
 jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK10N10A

JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)

 8.2. Size:1371K  jiejie micro
 jmtk100p03a.pdf pdf_icon

JMTK10N10A

-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFET JMTK100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -55 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica

 8.3. Size:980K  jiejie micro
 jmtk100n03a.pdf pdf_icon

JMTK10N10A

JMTK100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 40A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSL10130AY, JMSL10130PUD, JMSL1013AGD, JMSL1018AG, JMTK085P04A, JMTK100N02A, JMTK100N03A, JMTK100P03A, IRFB31N20D, JMTK3006B, JMTK3006C, JMTK3006D, JMTK3006E, JMTK320N10A, JMTK330N06A, JMTK340P03A, JMTK4004A