ZXMN2A01F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2A01F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.806 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 303 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ZXMN2A01F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2A01F даташит

 ..1. Size:217K  diodes
 zxmn2a01f.pdf pdf_icon

ZXMN2A01F

 ..2. Size:79K  tysemi
 zxmn2a01f.pdf pdf_icon

ZXMN2A01F

Product specification ZXMN2A01F 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.2A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23

 0.1. Size:216K  zetex
 zxmn2a01fta.pdf pdf_icon

ZXMN2A01F

 0.2. Size:216K  zetex
 zxmn2a01ftc.pdf pdf_icon

ZXMN2A01F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN26D0UT, DMN2990UDJ, ZXM61N02F, ZXM62N02E6, ZXM64N02X, ZXMD63N02X, ZXMN2088DE6, ZXMN2A01E6, IRF3710, ZXMN2A02N8, ZXMN2A02X8, ZXMN2A03E6, ZXMN2A04DN8, ZXMN2A14F, ZXMN2AMC, ZXMN2B01F, ZXMN2B03E6