JMSL060SPGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL060SPGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 283 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4458 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL060SPGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL060SPGQ даташит

 ..1. Size:677K  jiejie micro
jmsl060spgq.pdfpdf_icon

JMSL060SPGQ

60V, 283A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL060SPGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 60 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 283 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.0 m Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.4 m AEC-Q101 Qualified Applications

 7.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL060SPGQ

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 7.2. Size:319K  jiejie micro
jmsl0609ap.pdfpdf_icon

JMSL060SPGQ

JMSL0609AP 60V 7.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 13.6 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Manag

 7.3. Size:397K  jiejie micro
jmsl0601bg.pdfpdf_icon

JMSL060SPGQ

JMSL0601BG 60V 1.25m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 60 V VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 226 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.25 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.8 m Applications Power Mana

Другие IGBT... JMSL0609AGWQ, JMSL0609AK, JMSL0609AKQ, JMSL0609AP, JMSL0609APD, JMSL0609AU, JMSL0609AUQ, JMSL0609PPD, IRF3205, JMSL0610AGD, JMSL0610AGDQ, JMSL0611PG, JMSL0611PGD, JMSL0611PP, JMTK480N06A, JMTK500N10A, JMTK50N03A