JMTK50P02A - аналоги и даташиты транзистора

 

JMTK50P02A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTK50P02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 505 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMTK50P02A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK50P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  jiejie micro
 jmtk50p02a.pdf pdf_icon

JMTK50P02A

JMTK50P02A Description JMT P-channel MOSFET Features Application V =-20V, I =-60A PWM Applications DS DR

 6.1. Size:927K  jiejie micro
 jmtk50p03a.pdf pdf_icon

JMTK50P02A

JMTK50P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -50A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:878K  jiejie micro
 jmtk50n03a.pdf pdf_icon

JMTK50P02A

JMTK50N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 50A Load SwitchRDS(ON)

 8.2. Size:1174K  jiejie micro
 jmtk500n10a.pdf pdf_icon

JMTK50P02A

100V, 20A, 36m N-channel Power Trench MOSFETJMTK500N10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 20 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 34 mWApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 36 mW Load Switch PWM Application Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL0610AGDQ , JMSL0611PG , JMSL0611PGD , JMSL0611PP , JMTK480N06A , JMTK500N10A , JMTK50N03A , JMTK50N06B , IRF1404 , JMTK50P03A , JMTK58N06B , JMTK60N04B , JMTK70N07A , JMTK75N02A , JMTK80N06A , JMTK90N02A , JMTQ100N03A .

History: S85N048S

 

 
Back to Top

 


 
.