JMTK90N02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK90N02A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 528 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK90N02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK90N02A даташит

 ..1. Size:476K  jiejie micro
 jmtk90n02a.pdf pdf_icon

JMTK90N02A

JMTK90N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 90A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTK50N06B, JMTK50P02A, JMTK50P03A, JMTK58N06B, JMTK60N04B, JMTK70N07A, JMTK75N02A, JMTK80N06A, 8205A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A, JMTQ11DN10A, JMSL0611PU, JMSL0611PUD, JMSL06120UQ