JMSL0613APD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0613APD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 349 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0613APD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0613APD даташит

 ..1. Size:310K  jiejie micro
jmsl0613apd.pdfpdf_icon

JMSL0613APD

JMSL0613APD 60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10.2 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications P

 7.1. Size:336K  jiejie micro
jmsl0610agdq.pdfpdf_icon

JMSL0613APD

JMSL0610AGDQ 60V 8.5m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.5 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AE

 7.2. Size:1237K  jiejie micro
jmsl0612pp.pdfpdf_icon

JMSL0613APD

60V, 11A, 11.4 m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0612PP Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 11 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.0 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11.4 mW Applications Load Switch P

 7.3. Size:371K  jiejie micro
jmsl0615agdq.pdfpdf_icon

JMSL0613APD

JMSL0615AGDQ 60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 13.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

Другие IGBT... JMSL0612AU, JMSL0612AUQ, JMSL0612PG, JMSL0612PGQ, JMSL0612PK, JMSL0612PP, JMSL0612PPD, JMSL0612PU, AO3401, JMSL1018AK, JMSL1018AKQ, JMSL1018AP, JMSL1018AUQ, JMSL1018PG, JMSL1018PGD, JMSL1018PGQ, JMSL1018PK