ZXMN2B14FH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2B14FH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 872 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ZXMN2B14FH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2B14FH даташит

 ..1. Size:435K  diodes
 zxmn2b14fh.pdf pdf_icon

ZXMN2B14FH

ZXMN2B14FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.055 @ VGS= 4.5V 4.3 0.075 @ VGS= 2.5V 3.7 20 0.100 @ VGS= 1.8V 3.2 Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching speed G Low

 0.1. Size:424K  zetex
 zxmn2b14fhta.pdf pdf_icon

ZXMN2B14FH

ZXMN2B14FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.055 @ VGS= 4.5V 4.3 0.075 @ VGS= 2.5V 3.7 20 0.100 @ VGS= 1.8V 3.2 Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching speed G Low

 8.1. Size:585K  diodes
 zxmn2b03e6.pdf pdf_icon

ZXMN2B14FH

ZXMN2B03E6 20V SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.040 @ VGS= 4.5V 5.4 0.055 @ VGS= 2.5V 4.6 20 0.075 @ VGS= 1.8V 4.0 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching speed G Low ga

 8.2. Size:391K  diodes
 zxmn2b01f.pdf pdf_icon

ZXMN2B14FH

ZXMN2B01F 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.100 @ VGS= 4.5V 2.4 0.150 @ VGS= 2.5V 2.0 20 0.200 @ VGS= 1.8V 1.7 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching speed G Low gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN2A02N8, ZXMN2A02X8, ZXMN2A03E6, ZXMN2A04DN8, ZXMN2A14F, ZXMN2AMC, ZXMN2B01F, ZXMN2B03E6, IRF630, ZXMN2F30FH, ZXMN2F34FH, ZXMN2F34MA, DMG4466SSS, DMG4466SSSL, DMG4468LFG, DMG4468LK3, DMG4496SSS