Справочник MOSFET. JMSL0620AGEQ

 

JMSL0620AGEQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0620AGEQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0620AGEQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0620AGEQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620ageq.pdf pdf_icon

JMSL0620AGEQ

JMSL0620AGEQ60V 16m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating, Ha

 3.1. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620age.pdf pdf_icon

JMSL0620AGEQ

JMSL0620AGE60V 16m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating, Hal

 4.1. Size:305K  jiejie micro
 jmsl0620agdeq.pdf pdf_icon

JMSL0620AGEQ

JMSL0620AGDEQ60V 18m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)25 m Pb-free Lead Plati

 4.2. Size:318K  jiejie micro
 jmsl0620agde.pdf pdf_icon

JMSL0620AGEQ

JMSL0620AGDE60V 18m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)25 m Pb-free Lead Platin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL0615AP , JMSL0615APD , JMSL0615AUD , JMSL0615AV , JMSL0615PGDQ , JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , MMIS60R580P , JMSL0620AUE , JMSL0630AG , JMSL0630AGD , JMSL0630AU , JMSL0803MG , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.