JMTG075C03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTG075C03D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTG075C03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG075C03D даташит

 ..1. Size:1592K  jiejie micro
 jmtg075c03d.pdf pdf_icon

JMTG075C03D

 8.1. Size:419K  jiejie micro
 jmtg070n06a.pdf pdf_icon

JMTG075C03D

JMTG070N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 70A Load Switch R

 9.1. Size:575K  1
 jmtg040n03a.pdf pdf_icon

JMTG075C03D

JMTG040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 80A Load Switch R

 9.2. Size:1425K  jiejie micro
 jmtg050p03a.pdf pdf_icon

JMTG075C03D

-30V, -80A, 5.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTG050P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -80 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 3.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 5.2 mW Applications Load Swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSL1006PGS, JMSL1008AC, JMSL1008AE, JMSL1008AG, JMSL1008AGQ, JMTG060P03A, JMTG062N04D, JMTG070N06A, IRFB4227, JMTG080N04D, JMTG080P03A, JMTG100C03D, JMTG100N03A, JMTG100N04A, JMTG100N06A, JMTG100N06D, JMTG100P03A