JMTG075C03D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMTG075C03D. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTG075C03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMTG075C03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG075C03D даташит

 ..1. Size:1592K  jiejie micro
jmtg075c03d.pdfpdf_icon

JMTG075C03D

 8.1. Size:419K  jiejie micro
jmtg070n06a.pdfpdf_icon

JMTG075C03D

JMTG070N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 70A Load Switch R

 9.1. Size:575K  1
jmtg040n03a.pdfpdf_icon

JMTG075C03D

JMTG040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 80A Load Switch R

 9.2. Size:1425K  jiejie micro
jmtg050p03a.pdfpdf_icon

JMTG075C03D

-30V, -80A, 5.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTG050P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -80 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 3.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 5.2 mW Applications Load Swit

Другие MOSFET... JMSL1006PGS , JMSL1008AC , JMSL1008AE , JMSL1008AG , JMSL1008AGQ , JMTG060P03A , JMTG062N04D , JMTG070N06A , 2N7000 , JMTG080N04D , JMTG080P03A , JMTG100C03D , JMTG100N03A , JMTG100N04A , JMTG100N06A , JMTG100N06D , JMTG100P03A .

History: HMS80N10 | JMSL1008PGQ | JMTG050P03A | JMTG100N06D | JMTG062N04D | JMTG28DN10D | JMTG100N04A

 

 
Back to Top

 


 
.