JVE101N - аналоги и даташиты транзистора

 

JVE101N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JVE101N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 260 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2099 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JVE101N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JVE101N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  jiejie micro
 jve101n.pdf pdf_icon

JVE101N

JVE101N100V 1.6mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 260 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mWApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC

 9.1. Size:1078K  jiejie micro
 jve102t.pdf pdf_icon

JVE101N

JVE102T100V 2.3mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 247 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.3 mW

 9.2. Size:1036K  jiejie micro
 jve103t.pdf pdf_icon

JVE101N

JVE103T100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 184 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3 mW Pb-free Lead Plating

 9.3. Size:1022K  jiejie micro
 jve102g.pdf pdf_icon

JVE101N

JVE102G100V 2.4mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 200 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.4 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL1040AU , JMSL1040AUD , JMSL1040AUQ , JMSL1040AV , JMSL1040AVQ , JMSL1040AY , JMSL1040PGDQ , JMSL1040PGQ , IRFP250 , JVE102G , JVE102T , JVE103T , JVL101N , JVL102E , JVL102T , JVL102Y , JMTV3400A .

 

 
Back to Top

 


 
.