JVE101N - описание и поиск аналогов

 

JVE101N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JVE101N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 260 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2099 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JVE101N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JVE101N даташит

 ..1. Size:716K  jiejie micro
jve101n.pdfpdf_icon

JVE101N

JVE101N 100V 1.6mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 260 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mW Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC

 9.1. Size:1078K  jiejie micro
jve102t.pdfpdf_icon

JVE101N

JVE102T 100V 2.3mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 247 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.3 mW

 9.2. Size:1036K  jiejie micro
jve103t.pdfpdf_icon

JVE101N

JVE103T 100V 3.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 184 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3 mW Pb-free Lead Plating

 9.3. Size:1022K  jiejie micro
jve102g.pdfpdf_icon

JVE101N

JVE102G 100V 2.4mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 200 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.4 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

Другие MOSFET... JMSL1040AU , JMSL1040AUD , JMSL1040AUQ , JMSL1040AV , JMSL1040AVQ , JMSL1040AY , JMSL1040PGDQ , JMSL1040PGQ , IRFP250 , JVE102G , JVE102T , JVE103T , JVL101N , JVL102E , JVL102T , JVL102Y , JMTV3400A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.