JVL102T - аналоги и даташиты транзистора

 

JVL102T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JVL102T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 321 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 263 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1559 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для JVL102T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JVL102T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:604K  jiejie micro
jvl102t.pdfpdf_icon

JVL102T

JVL102T100V 1.9mW TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 263 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.9 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Telecom., Ind

 8.1. Size:1079K  jiejie micro
jvl102e.pdfpdf_icon

JVL102T

JVL102E100V 2.1mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 246 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.1 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

 8.2. Size:557K  jiejie micro
jvl102y.pdfpdf_icon

JVL102T

JVL102Y100V 2.8mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 200 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.8 Pb-free Lead Plating m

 9.1. Size:788K  jiejie micro
jvl101n.pdfpdf_icon

JVL102T

JVL101N100V 1.3mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 325 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.3 mWApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC

Другие MOSFET... JMSL1040PGDQ , JMSL1040PGQ , JVE101N , JVE102G , JVE102T , JVE103T , JVL101N , JVL102E , 2N60 , JVL102Y , JMTV3400A , JMTY11DN10A , JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , JVC103T , JVC105E .

History: JMTV3400A

 

 
Back to Top

 


 
.