JMTY11DN10A - описание и поиск аналогов

 

JMTY11DN10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMTY11DN10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для JMTY11DN10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTY11DN10A даташит

 ..1. Size:516K  jiejie micro
jmty11dn10a.pdfpdf_icon

JMTY11DN10A

JMTY11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 5A Load Switch R

Другие MOSFET... JVE102G , JVE102T , JVE103T , JVL101N , JVL102E , JVL102T , JVL102Y , JMTV3400A , 20N50 , JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.