JVC103T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JVC103T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 197 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1181 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JVC103T
JVC103T Datasheet (PDF)
jvc103t.pdf
JVC103T100V 3.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 100% UIS Tested, 100% RgTested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 mW
jvc103k.pdf
100V, 169A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFETJVC103KProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 169 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22
jvc105e.pdf
JVC105E100V 4.5mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 135 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.5 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr
Другие MOSFET... JVL102E , JVL102T , JVL102Y , JMTV3400A , JMTY11DN10A , JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , AON6380 , JVC105E , JVC113T , JVC502E , , , , , .
