JVC113T - аналоги и даташиты транзистора

 

JVC113T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JVC113T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 138 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 909 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JVC113T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JVC113T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  jiejie micro
 jvc113t.pdf pdf_icon

JVC113T

100V, 138A, 3.8m N-channel Power SGT MOSFETJVC113TProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 138 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSchem

Другие MOSFET... JVL102Y , JMTV3400A , JMTY11DN10A , JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , JVC103T , JVC105E , 8N60 , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U .

History: UT3N06G-AE3

 

 
Back to Top

 


 
.