JVC113T - описание и поиск аналогов

 

JVC113T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JVC113T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 138 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 909 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JVC113T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JVC113T даташит

 ..1. Size:1255K  jiejie micro
 jvc113t.pdf pdf_icon

JVC113T

100V, 138A, 3.8m N-channel Power SGT MOSFET JVC113T Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 138 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Schem

Другие MOSFET... JVL102Y , JMTV3400A , JMTY11DN10A , JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , JVC103T , JVC105E , 8N60 , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.