JVC502E - описание и поиск аналогов

 

JVC502E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JVC502E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 119 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1252 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JVC502E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JVC502E даташит

 ..1. Size:1255K  jiejie micro
 jvc502e.pdf pdf_icon

JVC502E

100V, 119A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFET JVC502E Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 119 A Super short circuit ruggedness RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW Applications Motor driver PWM Application

Другие MOSFET... JMTV3400A , JMTY11DN10A , JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , P60NF06 , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.