JVC502E - аналоги и даташиты транзистора

 

JVC502E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JVC502E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 119 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1252 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JVC502E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JVC502E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  jiejie micro
 jvc502e.pdf pdf_icon

JVC502E

100V, 119A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJVC502EProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 119 A Super short circuit ruggednessRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mWApplications Motor driver PWM Application

Другие MOSFET... JMTV3400A , JMTY11DN10A , JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , AO3401 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.