SLA10N03T - описание и поиск аналогов

 

SLA10N03T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLA10N03T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TDFN2X2

Аналог (замена) для SLA10N03T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLA10N03T даташит

 ..1. Size:2698K  maple semi
 sla10n03t.pdf pdf_icon

SLA10N03T

SLA10N03T 30V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 10.6A, 30V, RDS(on),Typ = 11m TRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 17nC) pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in t

Другие MOSFET... JMTY2310A , JVC085T , JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , AO3400A , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.