Справочник MOSFET. DMG4800LSD

 

DMG4800LSD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMG4800LSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 798 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для DMG4800LSD

 

 

DMG4800LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  diodes
 dmg4800lsd.pdf

DMG4800LSD DMG4800LSD

DMG4800LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

 6.1. Size:161K  diodes
 dmg4800lfg.pdf

DMG4800LSD DMG4800LSD

DMG4800LFGN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN3030-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 6.2. Size:237K  diodes
 dmg4800lk3.pdf

DMG4800LSD DMG4800LSD

DMG4800LK3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: TO252-3L Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. Low Input Capacitance UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 6.3. Size:266K  inchange semiconductor
 dmg4800lk3.pdf

DMG4800LSD DMG4800LSD

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG4800LK3FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 17m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... ZXMN2F34MA , DMG4466SSS , DMG4466SSSL , DMG4468LFG , DMG4468LK3 , DMG4496SSS , DMG4800LFG , DMG4800LK3 , IRF4905 , DMG4822SSD , DMG6402LDM , DMG8880LK3 , DMG8880LSS , DMN100 , DMN2600UFB , DMN3005LK3 , DMN3007LSS .

 

 
Back to Top