SLD10N65U - описание и поиск аналогов

 

SLD10N65U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLD10N65U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 212 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SLD10N65U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD10N65U даташит

 ..1. Size:4841K  maple semi
 sld10n65u.pdf pdf_icon

SLD10N65U

SLD10N65U 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 10A, 650V, RDS(on),typ =0.93 planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 26nC) has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switching vide superior switching performance, and withstand high en-

Другие MOSFET... JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , IRFZ48N , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 .

History: SLF65R180E7C | SLD60N04TB | SM1F08NSU | STF4N90K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.