SLD140N03TB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLD140N03TB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 134 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SLD140N03TB
SLD140N03TB Datasheet (PDF)
sld140n03tb.pdf

SLD140N03TB30V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 134A, 30V, RDS(on),Typ = 2.2mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 80nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in
Другие MOSFET... SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , 60N06 , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , , , , , .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLD65R1K2E7 | SLD60N04TB | SLD40N03TB | SLD140N03TB | SLD120N03TB | SLD110N02TB | SLD10N65U | SLD07RN10G | SLC013RN06G | SLB65R380E7C | SLB60R105E7D | SLA10N03T | SLA08N10G | JVC502E | JVC113T | JVC105E
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60