SLD140N03TB - аналоги и даташиты транзистора

 

SLD140N03TB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLD140N03TB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 134 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SLD140N03TB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD140N03TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4799K  maple semi
sld140n03tb.pdfpdf_icon

SLD140N03TB

SLD140N03TB30V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 134A, 30V, RDS(on),Typ = 2.2mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 80nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in

Другие MOSFET... SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , 60N06 , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.