MDT4N65 - описание и поиск аналогов

 

MDT4N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDT4N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для MDT4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT4N65 даташит

 ..1. Size:669K  cn minos
 mdt4n65.pdf pdf_icon

MDT4N65

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MDT4N65, This Power MOSFET is produced using Wisdom s advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies, active power factor correction, electroni

Другие MOSFET... SLH95R130GTZ , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , 4435 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P .

History: SWP80N08V1 | AP2R803GJB | 2SK3339-01 | STM8324 | AGM628MD | 2SK1703 | MTP12N18

 

 

 

 

↑ Back to Top
.