MDT4N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT4N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT4N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  cn minos
 mdt4n65.pdf pdf_icon

MDT4N65

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT4N65, This Power MOSFET is produced using Wisdomsadvanced planar stripe, DMOS technology. This latest technologyhas been especially designed to minimize on-state resistance,have a high rugged avalanche characteristics. These devices arewell suited for high efficiency switch mode power supplies, activepower factor correction, electroni

Другие MOSFET... SLH95R130GTZ , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , AON7410 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P .

History: TMP5N60AZ | MDT30P10D | FMV06N60ES | IRF540S | MD100N20 | IXFN48N50U3

 

 
Back to Top

 


 
.