MPG55N06P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG55N06P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG55N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG55N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG55N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  cn minos
 mpg55n06p.pdf pdf_icon

MPG55N06P

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG55N06 uses advanced trench technology and designTo provide Excellent R . It can be used in a wide varietyDS(ON)of applications.General Features V =60V,I =55ADS DR 14m @V =10V (Typ:11.0 m)dson GSR 16m @V =4.5V (Typ:12.5m)dson GS Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single P

Другие MOSFET... MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , MPG40P10P , MPG50N06P , 7N60 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.