MPG55N06P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG55N06P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG55N06P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG55N06P даташит

 ..1. Size:252K  cn minos
 mpg55n06p.pdf pdf_icon

MPG55N06P

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MPG55N06 uses advanced trench technology and design To provide Excellent R . It can be used in a wide variety DS(ON) of applications. General Features V =60V,I =55A DS D R 14m @V =10V (Typ 11.0 m ) dson GS R 16m @V =4.5V (Typ 12.5m ) dson GS Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single P

Другие IGBT... MPG100N03P, MPG100N06, MDT100N06, MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P, MPG50N06P, AO3407, MPT028N10S, MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08