MPT037N08S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPT037N08S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1181 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPT037N08S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT037N08S даташит

 ..1. Size:848K  cn minos
 mpt037n08p mpt037n08s.pdf pdf_icon

MPT037N08S

 9.1. Size:826K  cn minos
 mpt035n08p mpt035n08s.pdf pdf_icon

MPT037N08S

85V N-Channel Power MOSFET Description MPT035N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs, Is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. General Features V =85V, R

Другие IGBT... MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P, MPG50N06P, MPG55N06P, MPT028N10S, MPT037N08P, IRF520, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08, MPT65N08S, P80NF70, AO3400S