MPT042N10S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPT042N10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPT042N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2584 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPT042N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT042N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  cn minos
 mpt042n10p mpt042n10s.pdf pdf_icon

MPT042N10S

100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT042N10, the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss, improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor motor drivers and high speed switching applications.General Features V =100V, R

 9.1. Size:875K  cn minos
 mpt045n08p mpt045n08s.pdf pdf_icon

MPT042N10S

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT045n08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss, improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable device formotor drivers and high speed switching applications.General Features V =85V, R

Другие MOSFET... MPG30P10P , MPG40P10P , MPG50N06P , MPG55N06P , MPT028N10S , MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P , IRFZ24N , MPT045N08P , MPT045N08S , MPT65N08 , MPT65N08S , P80NF70 , AO3400S , AO3401S , IRLR024NTR .

History: MPT045N08S

 

 
Back to Top

 


 
.