MD20N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MD20N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MD20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD20N60 даташит

 ..1. Size:655K  cn minos
 md20n60.pdf pdf_icon

MD20N60

Description MD20N60,the silicon N-channel Enhanced MOSFETs,is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit VDS@Tj.max 600 V ID 20 A RDS(ON).TyP 0.39

 8.1. Size:1030K  cn minos
 md20n65.pdf pdf_icon

MD20N60

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MD20N65,the silicon N-channel Enhanced MOSFETs,is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS V =650V, R

 9.1. Size:808K  cn vbsemi
 cmd20n06l.pdf pdf_icon

MD20N60

CMD20N06L www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n

 9.2. Size:877K  cn minos
 md20n50.pdf pdf_icon

MD20N60

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MD20N50 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. General Features V =500V, R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPT045N08S, MPT65N08, MPT65N08S, P80NF70, AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, 7N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25, MD40N25, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65