MDT08N06D - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT08N06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT08N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT08N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT08N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  cn minos
 mdt08n06d.pdf pdf_icon

MDT08N06D

60V N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT08N06 uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge. It canbe used in a wide variety of applications.General Features V =60V, R

Другие MOSFET... MD23N50 , MD33N25 , MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MMD60R360PRH , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.