MDT08N06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT08N06D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT08N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT08N06D даташит

 ..1. Size:910K  cn minos
 mdt08n06d.pdf pdf_icon

MDT08N06D

60V N-Channel Power MOSFET Description The MDT08N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V, R

Другие IGBT... MD23N50, MD33N25, MD40N25, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, RU7088R, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, MPG40N10P, MPG60N10P