MPG200N08P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG200N08P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG200N08P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG200N08P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG200N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  cn minos
 mpg200n08p mpg200n08s.pdf pdf_icon

MPG200N08P

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG200N08 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS VDS = 80V,ID = 200A RDS(ON)

Другие MOSFET... MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P , MPG180N10S , BS170 , MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P .

History: AO3401S

 

 
Back to Top

 


 
.