MPG200N08P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG200N08P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG200N08P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG200N08P даташит

 ..1. Size:1097K  cn minos
 mpg200n08p mpg200n08s.pdf pdf_icon

MPG200N08P

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG200N08 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS VDS = 80V,ID = 200A RDS(ON)

Другие IGBT... MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, AO4407A, MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, MPG40N10P, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P