MPG60N10P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG60N10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG60N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG60N10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG60N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  cn minos
 mpg60n10p mdt60n10d.pdf pdf_icon

MPG60N10P

DESCRIPTIONThe MPG60N10P uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits Uninterruptible power supplySchematic diagramKEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 60ADS DR

 8.1. Size:1035K  cn minos
 mpg60nf06p mdt60nf06d.pdf pdf_icon

MPG60N10P

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG60NF06 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used inDS(ON)a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 60ADS DR

Другие MOSFET... MDT08N06D , MPG180N10P , MPG180N10S , MPG200N08P , MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , IRFZ44N , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , MDT12N10L .

 

 
Back to Top

 


 
.