MPG60N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG60N10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG60N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG60N10P даташит

 ..1. Size:659K  cn minos
 mpg60n10p mdt60n10d.pdf pdf_icon

MPG60N10P

DESCRIPTION The MPG60N10P uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits Uninterruptible power supply Schematic diagram KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 60A DS D R

 8.1. Size:1035K  cn minos
 mpg60nf06p mdt60nf06d.pdf pdf_icon

MPG60N10P

60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG60NF06 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in DS(ON) a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 60A DS D R

Другие IGBT... MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, MPG40N10P, IRFZ44N, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, MPT012N08T, MPT023N10T, MPT028N10P, MDT12N10L