MPG90N08S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG90N08S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG90N08S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG90N08S даташит

 ..1. Size:922K  cn minos
 mpg90n08p mpg90n08s.pdf pdf_icon

MPG90N08S

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG90N08 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90A DS D R

Другие IGBT... MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, MPG40N10P, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, 20N60, MPT012N08T, MPT023N10T, MPT028N10P, MDT12N10L, MDT13N10D, MDT15N10, MDT15P04D, MDT18N10D