MPG90N08S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG90N08S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG90N08S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPG90N08S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG90N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  cn minos
 mpg90n08p mpg90n08s.pdf pdf_icon

MPG90N08S

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG90N08 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)ina wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90ADS DR

Другие MOSFET... MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , 20N60 , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , , , , , .

History: MPG80N06P

 

 
Back to Top

 


 
.