MPT012N08T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPT012N08T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPT012N08T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT012N08T даташит

 ..1. Size:699K  cn minos
 mpt012n08t.pdf pdf_icon

MPT012N08T

Description MPT012N08-T, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 80 V DSS I 360 A D R 1.1 m DS(on).typ FEATURES TOLL8

Другие IGBT... MPG30N06P, MPG30N10P, MPG40N10P, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, IRF540N, MPT023N10T, MPT028N10P, MDT12N10L, MDT13N10D, MDT15N10, MDT15P04D, MDT18N10D, MDT18N20