MPT012N08T - аналоги и даташиты транзистора

 

MPT012N08T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPT012N08T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для MPT012N08T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT012N08T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  cn minos
 mpt012n08t.pdf pdf_icon

MPT012N08T

DescriptionMPT012N08-T, the N-channel Enhanced PowerMOSFETs, is obtained by advanced double trenchtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. This is suitable device for BMSand high current switching applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 80 VDSSI 360 ADR 1.1 mDS(on).typFEATURESTOLL8

Другие MOSFET... MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , IRF540N , MPT023N10T , MPT028N10P , MDT12N10L , MDT13N10D , MDT15N10 , MDT15P04D , MDT18N10D , MDT18N20 .

 

 
Back to Top

 


 
.