MP180N06P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP180N06P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MP180N06P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP180N06P даташит

 ..1. Size:1083K  cn minos
 mp180n06p mp180n06p.pdf pdf_icon

MP180N06P

60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MP180N06 uses advanced trench technology to provide excellent R ), low gate charge. It can be used in a wide DS(ON variety of applications. Schematic diagram KEY CHARACTERISTICS V =60V,I = 180A R

Другие IGBT... MDT70N03, MDT7N65, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, MP150N08P, IRF1010E, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, MP40N20, MP50N06, MP5N65, MP70N10, MP9N20