MP180N06P - аналоги и даташиты транзистора

 

MP180N06P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MP180N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MP180N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP180N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1083K  cn minos
 mp180n06p mp180n06p.pdf pdf_icon

MP180N06P

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MP180N06 uses advanced trench technology to provideexcellent R ), low gate charge. It can be used in a wideDS(ONvariety of applications.Schematic diagramKEY CHARACTERISTICSV =60V,I = 180A R

Другие MOSFET... MDT70N03 , MDT7N65 , MDT9N20 , MLS60R380D , MLS65R380D , MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , IRF530 , MP18N20 , MP20N40P , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.