MP70N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP70N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MP70N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP70N10 даташит

 ..1. Size:1123K  cn minos
 mp70n10.pdf pdf_icon

MP70N10

100V N-Channel MOSFET Description MP70N10, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. FEATURES Schematic diagram 1 V =100V,I =70A R

Другие IGBT... MP150N08P, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, MP40N20, MP50N06, MP5N65, STP80NF70, MP9N20, MPF12N65, MPF13N50, MPF18N20, MPF20N50, AP15N04S, AP3416AI, AP4N06SI