MP70N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

MP70N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MP70N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MP70N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP70N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1123K  cn minos
 mp70n10.pdf pdf_icon

MP70N10

100V N-Channel MOSFETDescriptionMP70N10, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, isobtained by advanced MOSFET technology which reduce theconduction loss, improve switching performance and enhancethe avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS,high speed switching and general purpose applications.FEATURES Schematic diagram1 V =100V,I =70A R

Другие MOSFET... MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 , 18N50 , MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI .

 

 
Back to Top

 


 
.