MP70N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

MP70N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MP70N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MP70N10

 

MP70N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1123K  cn minos
 mp70n10.pdf pdf_icon

MP70N10

100V N-Channel MOSFET Description MP70N10, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. FEATURES Schematic diagram 1 V =100V,I =70A R

Другие MOSFET... MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B , MP40N20 , MP50N06 , MP5N65 , STP80NF70 , MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI .

 

 
Back to Top

 


 
.