AP3416AI datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP3416AI 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOT23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP3416AI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP3416AI даташит
ap3416ai.pdf
AP3416AI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3416AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.8A DS D R
ap3410mi.pdf
AP3410MI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3410MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =6A DS D R
ap3415a.pdf
AP3415A -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3415A uses advanced trench It utilizes the latest processing techniques to achieve the high cell density and reduces the on-resistance with high repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in power switching application and a wide var
Другие IGBT... MP5N65, MP70N10, MP9N20, MPF12N65, MPF13N50, MPF18N20, MPF20N50, AP15N04S, IRF1407, AP4N06SI, AP50N03S, AP50N06Y, AP60N02BD, AP130N20MP, AP3404MI, AP50N06DF, AP6G04S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor




