AP3416AI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3416AI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3416AI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT23L
 

 Аналог (замена) для AP3416AI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3416AI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1247K  cn apm
 ap3416ai.pdf pdf_icon

AP3416AI

AP3416AI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3416AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.8A DS DR

Другие MOSFET... MP5N65 , MP70N10 , MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , RFP50N06 , AP4N06SI , AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S .

History: MPF18N20

 

 
Back to Top

 


 
.