AP4N06SI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4N06SI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4N06SI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для AP4N06SI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N06SI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1389K  cn apm
 ap4n06si.pdf pdf_icon

AP4N06SI

AP4N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =60V I =4.8A DS DR

Другие MOSFET... MP70N10 , MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AO3401 , AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF .

 

 
Back to Top

 


 
.