AP4N06SI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4N06SI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4N06SI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N06SI даташит

 ..1. Size:1389K  cn apm
 ap4n06si.pdf pdf_icon

AP4N06SI

AP4N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =60V I =4.8A DS D R

Другие IGBT... MP70N10, MP9N20, MPF12N65, MPF13N50, MPF18N20, MPF20N50, AP15N04S, AP3416AI, 2SK3568, AP50N03S, AP50N06Y, AP60N02BD, AP130N20MP, AP3404MI, AP50N06DF, AP6G04S, AP70N03DF