AP50N06Y - аналоги и даташиты транзистора

 

AP50N06Y - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP50N06Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP50N06Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50N06Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1600K  cn apm
 ap50n06y.pdf pdf_icon

AP50N06Y

AP50N06Y 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50N06Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =60V I =50A DS DR

 8.1. Size:1736K  cn apm
 ap50n03s.pdf pdf_icon

AP50N06Y

AP50N03S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50N03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =50 A DS DR

Другие MOSFET... MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI , AP50N03S , 10N65 , AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF .

 

 
Back to Top

 


 
.