AP130N20MP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP130N20MP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP130N20MP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP130N20MP даташит

 ..1. Size:5229K  cn apm
 ap130n20mp.pdf pdf_icon

AP130N20MP

AP130N20MP 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP130N20P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. G

Другие IGBT... MPF18N20, MPF20N50, AP15N04S, AP3416AI, AP4N06SI, AP50N03S, AP50N06Y, AP60N02BD, SI2302, AP3404MI, AP50N06DF, AP6G04S, AP70N03DF, AP80N08D, AP80N08NF, AP80P01NF, AP8P10S