AP130N20MP - аналоги и даташиты транзистора

 

AP130N20MP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP130N20MP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AP130N20MP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP130N20MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5229K  cn apm
 ap130n20mp.pdf pdf_icon

AP130N20MP

AP130N20MP 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP130N20P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. G

Другие MOSFET... MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI , AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , 2N60 , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S .

History: IRFB4321 | IRFB4310G

 

 
Back to Top

 


 
.